제조업체 제품 번호:
TSM2NB65CH X0G
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM2NB65CH X0G-DG
설명:
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
상세 설명:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
재고:
12898570
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제출
TSM2NB65CH X0G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
65W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-251 (IPAK)
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak
추가 정보
다른 이름들
TSM2NB65CHX0G
TSM2NB65CH X0G-DG
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK2Q60D(Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
190
부품 번호
TK2Q60D(Q)-DG
단가
0.28
대체 유형
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